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光催化氧化技术原理
发布时间:2021-02-01 21:59作者:admin浏览次数:

光催化氧化技术原理

@利用特制的高能UV紫外线光束照射恶臭气体,裂解恶臭气体如:氨,三家胺、硫化氢、甲硫氢、甲硫醇、甲硫醚、二甲二硫、二硫化碳和苯乙烯,硫化物H2S/、VOC类,苯、甲苯、二甲苯的分子键。
@利用高臭氧分解空气中的氧分子产生游离氧,即活性氧,因游离氧所携带的正负电子不平衡所以需与氧分子结合,进而产生臭氧,使呈游离状态的污染物分子与臭氧氧化结合成小分子无害或低害的化合物。如CO2、H2O等。
@利用特制的催化剂进行氧化还原反应;运用高能UV紫外线光束、臭氧及催化剂对恶臭气体进行协同分解反应,使恶臭气体物质降解转化成低分子化合物、水和二氧化碳,彻底达到脱臭及杀灭细菌的目的。
@光催化氧化是在外界可见光的作用下发生催化作用,以半导体为催化剂,以光为能量,将有机物降解为CO2和H2O及其他无毒无害成分。在光催化氧化反应中,通过紫外光照射在纳米TIO2催化剂上,纳米TIO2催化剂细说光能产生电子跃进和空穴跃进,经过进一步的结合产生电子空穴时,与废气表面啊吸附的水分和氧气反应生成氧化性很活泼的自由基和超氧离子自由基。
@在紫外线的照射下使污染物氧化分解;后者又称光催化氧化,一般可分为均相和非均相催化两种类型。均相光催化降解中常见的以Fe2+或Fe3+及H2O2为介质,通过photo-Fenton反应产生•H0,使污染物得到降解,非均相催化降解中较常见的是在污染体系中投加一定量的光敏半导体材料,同时结合一定量的光辐射,使光敏半导体在光的照射下激发产生电子-空穴对,吸附在半导体上的溶解氧、水分子等与电子-空穴作用,产生•H0等氧化性极强的自由基,再通过与污染物之间的羟基加和、取代、电子转移等使污染物全部或接近全部矿化。

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